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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率和强韧性的功率开关吗？STGF20M65DF2正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的650V/40A沟槽场截止IGBT，凭借其低至2V的导通压降，能显著降低系统导通损耗，让您的电机驱动、太阳能逆变器或电源设备运行得更凉爽、更节能。

它拥有极快的开关速度（开启延迟仅26ns）与优化的开关能量，帮助您轻松应对高频开关应用，有效抑制电磁干扰，简化电路设计。高达175°C的结温工作能力，确保了其在恶劣环境下的卓越可靠性。选择STGF20M65DF2，就是为您的产品注入高效与稳定的核心动力。

• 型号:STGF20M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:32.6 W
• 开关能量:140J（导通），560J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:63 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns
• 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):166 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
• STGF20M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。