我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD3NK80ZT4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

在追求极致能效的今天，一颗优秀的功率MOSFET能带来多大改变？STD3NK80ZT4就是为您解答的利器。它基于ST先进的SuperMESH技术，专为高压开关应用而生，其800V的坚固耐压和出色的动态特性，让您轻松构建高效、可靠的电源系统。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计在高压下依然保持低损耗运行。极低的导通电阻和栅极电荷意味着更少的能量浪费为热量，更高的整体转换效率。无论是用于开关电源、LED驱动还是电机控制，它都能帮助您提升产品性能，同时简化热管理设计，让您的产品在能效和可靠性上赢得关键优势。

• 型号:STD3NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3NK80ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。