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规格参数
制造商产品型号:STGD7NB60ST4制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)描述:IGBT 600V 15A 55W DPAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:PowerMESH零件状态:有源IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):15A电流-集电极脉冲(Icm):60A不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,7A功率-最大值:55W开关能量:3.5mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:33nC25°C时Td(开/关)值:700ns/-测试条件:480V,7A,1 千欧,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63STGD7NB60ST4,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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