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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的中功率开关解决方案吗？STGD7NB120ST4正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的1200V/10A IGBT，采用先进的PowerMESH技术，能为您提供高达55W的功率处理能力，并以低至2.1V的饱和压降显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

其优化的开关特性（3.2J开通能量）有助于提升系统开关频率，从而让您能够使用更小的磁性元件，实现整体方案的小型化。标准的输入特性和表面贴装DPAK封装，让您的PCB布局更灵活，生产组装更轻松。无论是升级现有设计还是开发新产品，它都是您值得信赖的功率核心。

• 型号:STGD7NB120ST4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 10A 55W DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:55 W
• 开关能量:3.2J（导通），15mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:29 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:570ns/-
• 测试条件:960V，7A，1 千欧，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD7NB120ST4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。