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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效、可靠与紧凑的功率开关核心？STGD5H60DF正是为您而来。这颗由意法半导体打造的600V沟槽场截止IGBT，能轻松处理高达10A的连续电流，其低至1.95V的饱和压降，直接为您降低导通损耗，提升系统能效。

更令人惊喜的是，它拥有极低的栅极电荷和优化的开关特性，能显著减少开关能量损耗，让您的变频器或电源工作得更快、更凉爽。其坚固的TO-252封装和高达175°C的结温能力，确保了在各种严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STGD5H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:83 W
• 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:43 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
• 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD5H60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。