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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案吗？STD6N60M2正是您期待的答案。这颗来自意法半导体MDmesh II Plus家族的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和4.5A的连续电流能力，专为提升您的电源转换效率而设计。

它凭借先进的平面网格技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。无论是用于开关电源、照明驱动还是电机控制，它都能让您轻松应对能效挑战，同时其坚固的DPAK封装和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在各种严苛环境下的长期稳定运行。

• 型号:STD6N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:232 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。