我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGB7H60DF现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

想象一下，您需要一颗能在600V电压下高效、可靠地控制功率的“心脏”。STGB7H60DF正是为此而生！这颗来自ST的沟槽型场截止IGBT，能轻松承载高达14A的连续电流，瞬间脉冲能力更可达28A，让您的电机驱动、电源转换或逆变器应用动力澎湃，应对负载波动从容不迫。

它的核心魅力在于高效与节能。1.95V的低导通压降和优化的开关特性，能显著降低系统运行中的能量损耗和发热，直接帮助您提升整机效率并简化散热设计。采用坚固的DPak表面贴装封装，散热性能优异，确保在-55°C到175°C的极端温度下稳定工作，大大提升了产品的环境适应性和长期可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:STGB7H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:14 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:99J（导通），100J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:46 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns
• 测试条件:400V，7A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):136 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB7H60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。