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还在寻找一颗能兼顾高效、强健与易用的功率开关吗？STGB40V60F正是为您而来的解决方案。这颗600V/80A的沟槽场截止型IGBT，旨在让您的电源和电机驱动设计事半功倍。

它能在40A电流下仅产生2.3V的低导通压降，显著减少发热，提升系统整体能效。同时，优化的开关速度与栅极电荷，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低系统成本。其坚固的DPak封装和高达283W的耗散功率，确保它在-55°C至175°C的严苛环境下依然稳定工作，为您产品的长期可靠性保驾护航。

• 型号:STGB40V60F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:456J（导通），411J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:226 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns
• 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB40V60F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。