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还在为如何平衡电源系统的高效率与小体积而烦恼吗？让STL13NM60N来为您分忧！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/10A的强劲开关能力，其超低的385毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，直接提升您的整机效率，让能量转换更加“冷静”高效。

它采用创新的PowerFlat HV封装，不仅节省宝贵的PCB空间，更能实现出色的散热性能，轻松应对高功率密度设计的挑战。无论是用于开关电源、电机驱动还是照明系统，STL13NM60N都能让您的设计更紧凑、运行更可靠，助您快速打造出具有市场竞争力的优质产品。

• 型号:STL13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:385 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL13NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。