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STGB30H60DF 零件图片(仅供参考)

STGB30H60DF
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STGB30H60DF 规格参数

您正在寻找一颗能扛起大功率开关重任,同时保持高效与可靠的核心器件吗?STGB30H60DF正是为此而生。这颗600V/60A的沟槽场截止型IGBT,拥有仅2.4V的低导通压降,能显著减少能量损耗,让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它具备高达260W的功率处理能力和120A的脉冲电流承受力,足以应对各种严苛的负载冲击。优化的开关特性(350J开启,400J关断)确保了快速、干净的开关动作,有效提升系统整体效率。采用坚固的D2PAK表面贴装封装,让您能在节省空间的同时,轻松实现自动化生产,大幅提升制造效率与产品可靠性。

  • 型号:STGB30H60DF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:260 W
  • 开关能量:350J(导通),400J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:105 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/160ns
  • 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):110 ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • STGB30H60DF,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGB30H60DF 基本参数:

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