我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGB15M65DF2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关核心？STGB15M65DF2正是为您而来。它采用先进的沟槽型场截止IGBT技术，集650V高耐压、30A强电流与仅2V的低导通压降于一身，能显著降低开关与传导损耗，直接帮助您提升系统整体能效，并简化散热设计。

这颗芯片旨在让您的电源管理应用运行得更冷静、更持久。其优异的开关特性（开关能量低至90J/450J）确保快速响应与低噪声运行，而宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）则提供了应对极端条件的强大鲁棒性。无论是驱动电机、转换太阳能，还是构建可靠的UPS系统，它都能让您轻松实现更紧凑、更高效、更可靠的电源解决方案，大幅提升最终产品的市场竞争力。

• 型号:STGB15M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:136 W
• 开关能量:90J（导通），450J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:45 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/93ns
• 测试条件:400V，15A，12 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):142 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB15M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。