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STPSC8H065DLF 零件图片(仅供参考)

STPSC8H065DLF
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STPSC8H065DLF 规格参数

还在为电源转换效率遇到瓶颈而困扰吗?STPSC8H065DLF碳化硅肖特基二极管就是您突破极限的利器。它凭借碳化硅材料的先天优势,为您带来高达650V的耐压和8A的整流能力,最关键的是,它实现了革命性的零反向恢复时间,能彻底消除开关损耗,让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么?它能让您轻松设计出功率密度更高、体积更小的电源模块。其极低的正向压降和反向漏电流,直接转化为更低的导通损耗和待机功耗。无论是用于PFC电路、高频整流还是逆变器中的续流环节,它都能显著提升整体能效和可靠性,让您的产品在市场上脱颖而出。

  • 型号:STPSC8H065DLF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat(8x8)HV
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 8 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:460pF @ 0V,1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:PowerFlat(8x8)HV
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
  • STPSC8H065DLF,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STPSC8H065DLF 基本参数:

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