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您正在为高压、高可靠性的电源设计寻找核心动力吗？STFW4N150正是为您而来的解决方案。这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，拥有1500V的超高耐压和4A的电流处理能力，能轻松应对光伏逆变、工业驱动等严苛应用中的高压挑战。

它通过优化的7欧姆低导通电阻和仅50nC的栅极电荷，显著降低了导通与开关损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。同时，其坚固的ISOWATT封装和150°C的高结温工作能力，确保了在复杂环境下的长久稳定，大幅提升产品寿命和可靠性。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STFW4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW4N150，ST（意法半导体）产品一站式供应商。