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您正在寻找一颗能同时提升效率、缩小体积并增强可靠性的高压MOSFET吗？STFW40N60M2正是为此而生。它基于先进的MDmesh II Plus技术，拥有600V的击穿电压和34A的连续电流能力，而其核心魅力在于仅88毫欧的超低导通电阻。这能让您的电源或电机驱动电路显著降低开关和导通损耗，轻松实现更高的能效目标，并减少散热需求。

此外，其优化的栅极电荷（仅57nC）和快速开关特性，让您能够使用更高频率的设计，从而减小变压器和滤波元件的尺寸，打造出更紧凑、更具成本竞争力的解决方案。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费级产品的精致小巧，STFW40N60M2都能提供卓越而稳定的性能表现，是您高效功率转换设计的理想选择。

• 型号:STFW40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW40N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。