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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STD25NF10LT4正是您期待的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达25A的连续电流承载能力，其核心价值在于让您的设计事半功倍。它采用先进的STripFET II技术，实现了极低的导通电阻（典型值35mΩ），能显著减少导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

更令人惊喜的是，其优化的动态参数（如低栅极电荷）让开关过程快速而干净，极大降低了开关损耗，特别适合高频开关电源应用。这意味着您不仅能提升能效，还能简化散热设计，让产品结构更紧凑。无论是工业控制、消费电子还是汽车应用，选择STD25NF10LT4，就是选择了一条通往更高性能、更高可靠性的捷径，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STD25NF10LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1710 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD25NF10LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。