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还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰吗？STB75NF75T4正是为您突破极限而生的利器。这颗基于STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有75V耐压和80A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅11毫欧@40A,10V）。这意味着在您的大电流应用中，它能显著减少导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为无谓的热量，直接助力您的系统实现能效跃升。

不仅如此，它精心优化的动态特性（如栅极电荷仅160nC）让开关动作干净利落，既能提升开关频率以缩小外围元件体积，又能有效控制开关损耗和噪声。搭配坚固的D2PAK封装和高达300W的散热能力，它让您在设计高功率密度、高可靠性的电源模块、电机驱动器或负载开关时，更加从容自信，轻松应对各种严苛挑战。

• 型号:STB75NF75T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB75NF75T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。