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还在寻找一颗能同时征服高电压与高效率挑战的功率开关管吗？STFW2N105K5就是为您准备的答案。这颗来自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，凭借1050V的超高耐压和仅8欧姆的低导通电阻，让您轻松驾驭工业电源、电机驱动等高压应用，显著降低开关损耗，提升系统能效。

它采用先进的ISOWATT-218FX通孔封装，不仅提供出色的电气隔离，更能高效散热，确保在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。极低的栅极电荷（10nC @ 10V）意味着您可以用更小的驱动功率实现快速开关，让您的设计响应更迅捷，布局更精简。选择STFW2N105K5，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏。

• 型号:STFW2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW2N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。