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还在为高压开关应用的效率瓶颈和可靠性担忧吗？让STFV3N150为您开启高效、稳健的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的1500V耐压和2.5A电流处理能力，专为应对严苛的工业环境而设计。其PowerMESH技术带来的低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它集成了出色的电气特性，如低栅极电荷和优化的输入电容，让您的驱动电路设计更简单，开关速度控制更得心应手。高达30W的功率耗散和150°C的工作结温，确保了其在恶劣条件下的长久耐用性。无论是升级现有设备还是开发新产品，选择STFV3N150，就是选择了一份让您安心的性能保障，助您轻松构建更强大、更可靠的电力电子系统。

• 型号:STFV3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
• STFV3N150，ST（意法半导体）产品一站式供应商。