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还在寻找能扛起高压大电流重任的功率开关吗？STW55NM50N就是您的答案！这颗基于意法半导体MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和高达54A的连续漏极电流，专为要求苛刻的高功率应用而生。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅54毫欧@27A,10V）和优化的动态特性。这意味着在您的电源、电机驱动或工业控制系统中，它能显著降低导通损耗，提升整体能效，同时确保快速、干净的开关动作，让您轻松应对高频开关挑战，实现更紧凑、更高效的设计。

凭借TO-247-3封装带来的出色散热能力和高达350W的功率耗散，STW55NM50N让您的设备运行更凉爽、更可靠。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能动力核心。

• 型号:STW55NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 54A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:54 毫欧 @ 27A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW55NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。