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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的核心器件吗？STFU8N60DM2正是您理想的答案。这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和12A的强大电流吞吐能力，其核心价值在于极低的导通损耗与出色的开关性能。

它能让您的电源设计效率显著提升，发热大幅降低。无论是构建更高效的AC-DC电源、更可靠的电机驱动器，还是更耐用的照明系统，STFU8N60DM2都能以卓越的电气参数和宽温工作范围，确保您的系统运行更稳定、寿命更长久，助您轻松应对各种严苛应用挑战。

• 型号:STFU8N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU8N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。