我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STFU6N65现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松驾驭650V高压平台，同时保持高效与可靠的核心开关器件吗？STFU6N65正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有4A的强劲电流处理能力和低至2.7欧姆的导通电阻，能显著降低您的电源或电机驱动应用中的导通损耗，提升整体能效。

它采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，确保在高达77W（Tc）的功率下稳定工作，让您的设计无需为过热担忧。宽广的-55°C至150°C工作温度范围，赋予其应对各种严苛环境的强大韧性。无论是开关电源、照明系统还是电机控制，STFU6N65都能以卓越的性能，让您的产品运行更稳定、更高效、更持久。

• 型号:STFU6N65
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:463 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:620mW（Ta），77W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU6N65，ST（意法半导体）产品一站式供应商。