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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和出色热性能的功率开关吗？STFU13N65M2正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh M2技术的MOSFET，拥有650V的高耐压和仅430毫欧的低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统轻松实现更高的能效等级。

它集低栅极电荷、高工作结温和坚固的TO-220FP封装于一身，不仅让您的设计更高效，还能简化散热管理，提升系统功率密度和长期可靠性。选择STFU13N65M2，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:STFU13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU13N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。