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您是否正在为提升电源转换效率而寻找那颗关键的“效能引擎”？STFU25N60M2-EP正是为您而来。这颗采用先进MDmesh M2技术的600V/18A MOSFET，凭借其极低的导通电阻，能显著减少能量损耗，让您的电源、电机驱动或充电设备运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个开关，更是一个性能倍增器。优化的动态参数让开关速度更快、损耗更低，帮助您轻松应对高频应用挑战，同时其宽泛的工作温度范围和稳健的封装，确保了系统在各种环境下的长期可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高效动力核心。

• 型号:STFU25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU25N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。