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还在为电源系统的效率瓶颈而困扰吗？STD11N65M2 N沟道MOSFET就是为您破局的关键。它集650V高耐压、7A强电流与极低的670毫欧导通电阻于一身，基于先进的MDmesh II Plus技术，能显著降低开关和传导损耗，直接为您提升整机能效，让热量更低，运行更稳定。

这颗芯片能轻松胜任开关电源、PFC电路等高要求应用，其优化的栅极电荷和输入电容让驱动设计更简单，开关速度更快。采用坚固的DPAK表面贴装封装，让您能实现高密度、高可靠性的PCB布局。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的动力核心，助您轻松打造出更具市场竞争力的电源解决方案。

• 型号:STD11N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。