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还在为电源系统的效率瓶颈寻找突破吗？STFU24N60M2正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V/18A的强悍规格，其核心使命就是让您的电源转换、电机驱动等应用运行得更加高效、凉爽且可靠。

它通过将导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）优化至卓越水平，能显著降低开关过程中的能量损耗。这意味着，您不仅可以轻松提升系统整体能效，满足严苛的能效标准，还能简化散热设计，让产品结构更紧凑。其坚固的TO-220FP封装和宽泛的工作温度范围，确保它在各种挑战性环境中稳定输出，大幅提升您终端产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STFU24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。