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您正在寻找一颗能扛起高压重担，同时保持冷静高效的功率开关吗？STFI10N65K3正是为此而来。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和10A的电流能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等应用中的高压切换挑战，让您的系统主回路既坚固又可靠。

它的卓越之处在于极低的导通损耗与出色的开关性能。1欧姆的导通电阻（@10V）意味着更少的能量以热量形式浪费，直接提升整机效率。同时，优化的栅极电荷设计让开关速度更快，驱动更轻松，特别适合追求高频和高能效的设计。采用稳固的I2PAKFP通孔封装，散热性能优异，确保在严苛环境下长期稳定运行，助您打造出性能强劲且耐久的产品。

• 型号:STFI10N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI10N65K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。