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还在为高压开关应用的效率与散热问题烦恼吗？让STP12NM60N来为您排忧解难！这颗基于ST先进MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，是您实现高效能量控制的得力助手。它能轻松处理高达600V的电压和10A的连续电流，其低至410毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关电源设计更紧凑、效率更高；让电机驱动响应更快、运行更平稳；让照明系统驱动更可靠、寿命更长。其优化的栅极电荷特性，让驱动设计变得简单，帮助您轻松提升开关频率，从而减小外围元件尺寸。选择它，就是选择了一个经过验证的高性能、高可靠性解决方案，助您轻松应对各种中高压功率转换挑战。

• 型号:STP12NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。