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还在为电源设计中的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？STFI9N60M2正是为您而来的高效能引擎。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的600V MOSFET，拥有仅780毫欧的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换效率轻松跃升。

它具备5.5A的强健电流能力和优异的开关特性，极低的栅极电荷让驱动更轻松、开关更迅速，有效减少开关损耗和电磁干扰。无论是构建紧凑高效的开关电源，还是驱动稳定可靠的电机，STFI9N60M2都能以卓越的热性能和坚固的封装，确保您的系统在高负荷下持续稳定运行，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 制造商产品型号：STFI9N60M2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II Plus
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：780 毫欧 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：320pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：20W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
• STFI9N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。