我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STFI8N80K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

在追求电源极致效率的旅程中，您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压、同时保持冷静与高效的开关核心？STFI8N80K5正是您的得力助手。它基于意法半导体先进的SuperMESH5技术打造，拥有800V的高耐压和6A的电流处理能力，能显著降低高压应用中的导通损耗，让您的电源设计更高效、更节能。

这颗N沟道MOSFET通过优化栅极电荷和输入电容，实现了快速、干净的开关特性，让您轻松应对高频开关需求，同时减少开关损耗。其坚固的I2PAKFP通孔封装确保了出色的散热性能和连接可靠性，即使在严苛的工作温度下也能稳定运行。选择STFI8N80K5，就是为您的工业电源、照明驱动或PFC电路选择一个强大而可靠的心脏，助您构建性能卓越且经久耐用的终端产品。

• 型号:STFI8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI8N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。