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想象一下，一颗芯片就能让您的电源系统在650V高压下运行得既冷静又高效！STFI6N65K3正是这样一款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，它基于先进的SuperMESH3技术，专为要求苛刻的开关应用而生。

它能为您做什么？核心在于其卓越的性能参数：高达5.4A的连续电流承载能力，配合低至1.3欧姆的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换效率轻松提升。同时，其低栅极电荷和输入电容特性，确保了快速的开关速度和极低的开关损耗，让您能够设计出频率更高、体积更小的电源模块。

无论是开发高效的开关电源、可靠的LED驱动器，还是稳健的电机控制电路，STFI6N65K3都能提供坚实的支持。其坚固的I2PAKFP封装和宽工作温度范围，更能确保您的产品在各种环境下稳定持久地运行，是您提升产品竞争力的得力助手。

• 型号:STFI6N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:880 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI6N65K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。