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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的中功率开关管吗？STFI6N62K3正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和5.5A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、电机控制等应用中的严苛电压和电流应力。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：极低的1.2欧姆导通电阻（@10V Vgs）让导通损耗最小化，而优化的栅极电荷（仅34nC）则大幅降低了开关损耗。这意味着它能帮助您的系统实现更高的整体能效，运行更凉爽，寿命更长久。其坚固的I2PAKFP通孔封装确保了出色的散热性能和机械可靠性，让您在设计高功率密度或高环境温度的产品时信心十足。

• 型号:STFI6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI6N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。