我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STFI4N62K3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关的“心脏”吗？STFI4N62K3正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET拥有620V的漏源电压和3.8A的连续电流能力，核心优势在于其SuperMESH3技术带来的极低导通电阻（仅2欧姆@10V），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它为您带来的远不止参数上的优势。优化的动态特性（如22nC的低栅极电荷）让开关速度更快，驱动更轻松，直接助力提升整体能效和功率密度。高达150°C的工作结温和25W的功率耗散能力，则赋予了它出色的可靠性与鲁棒性。选择它，就是为您的设计选择了一份经过验证的高性能与稳定保障。

• 型号:STFI4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI4N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。