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您是否正在为提升开关电源的效率而寻找一颗更强大的“心脏”？STFI28N60M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，集600V高压耐受与22A大电流驱动能力于一身，其核心使命就是让您的功率转换过程损耗更低、发热更少。它能够轻松应对高频开关的挑战，助您设计出更紧凑、更高效的电源模块。

具体而言，它极低的导通电阻（Rds(on)）直接减少了导通状态的能量浪费，而优化的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗。这意味着，无论是用于AC-DC电源、电机驱动还是PFC电路，STFI28N60M2都能让您的系统运行得更凉爽、更持久，最终实现整体能效的飞跃和产品可靠性的全面提升。

• 型号:STFI28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI28N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。