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您正在设计需要处理高压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STD18N65M2-EP正是为您解决核心挑战的利器。这颗由ST意法半导体出品的N沟道功率MOSFET，拥有高达650V的耐压和11A的连续电流处理能力，让您能轻松应对工业电源、UPS、PFC电路等应用中的高压开关任务。

它的卓越之处在于高效与可靠的结合。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着在导通时损耗更小，发热更低，直接提升您的系统整体能效。同时，优化的开关特性（低栅极电荷Qg）让开关过程更快、损耗更少，使您能够设计出更高频率、更紧凑的电源方案。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在各种苛刻环境下都能稳定运行，为您的产品可靠性保驾护航。

• 型号:STD18N65M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD18N65M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。