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还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰吗？让STFI20N65M5为您开启高效节能的新篇章。这颗N沟道MOSFET是您处理高压、大电流任务的得力助手，其650V的漏源电压和18A的连续电流能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源设备时信心十足。

它采用了ST先进的MDmesh V技术，成功地将导通电阻与栅极电荷优化至更佳平衡点。这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行更凉爽，整体能效大幅提升。高达130W的功率处理能力和150°C的工作结温，确保了其在严苛环境下的长期稳定与可靠，助您轻松构建更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:STFI20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI20N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。