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还在为高压小功率开关电路的选择而犹豫吗？STQ1NK80ZR-AP这颗N沟道MOSFET，就是为您简化设计、提升效率的得力助手。它基于ST先进的SuperMESH技术，拥有高达800V的耐压和仅300mA的连续漏极电流能力，让您在小功率离线电源、LED驱动、家用电器辅助电源等应用中，轻松实现高效、可靠的功率切换。

这颗芯片能为您做什么？它极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接帮助您提升系统整体能效，并允许使用更小的外围元件。其坚固的TO-92-3封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在各种环境下的长期稳定运行，让您的产品品质更加值得信赖。

• 型号:STQ1NK80ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• STQ1NK80ZR-AP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。