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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热问题烦恼吗？STFI15NM65N正是为您破局而来的利器。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和12A的强电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅380毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高能效和更低温升。

它不仅仅参数亮眼，更致力于简化您的设计。较低的栅极电荷和输入电容，意味着您可以使用更简单的驱动电路，就能获得快速、干净的开关性能，从而提升系统响应速度并降低电磁干扰。无论是面对工业环境的严苛温度挑战，还是追求紧凑空间内的可靠安装，其坚固的封装和宽工作温度范围都为您提供了坚实保障。选择它，就是选择了一份让设计更高效、让产品更可靠的专业承诺。

• 型号:STFI15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI15NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。