我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STFI15N60M2-EP现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率转换系统的效率提升而烦恼吗？STFI15N60M2-EP正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET集成了意法半导体先进的MDmesh M2技术，旨在让您轻松驾驭高达600V的电压和11A的电流，同时将导通损耗降至最低，显著提升整体能效。

它能让您的电源设计运行得更冷静、更可靠。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关动作，减少开关损耗，让系统响应更迅捷。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的I2PAKFP封装，赋予了它应对严苛工业环境的卓越能力。选择它，就是为您的电机驱动、电源供应或照明系统注入一颗高效、稳定的核心。

• 型号:STFI15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI15N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。