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还在为功率转换系统的效率与可靠性头疼吗？让STP20NM60A成为您破局的关键！这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有高达650V的击穿电压和20A的连续电流能力，专为 demanding 的开关应用而优化。

它能让您轻松构建高效、紧凑的电源解决方案。其极低的导通电阻显著减少了功率损耗，而优化的动态特性确保了快速、干净的开关动作，从而全面提升系统能效和功率密度。无论是工业驱动、电源适配器还是照明系统，它都能提供稳定可靠的性能基石，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STP20NM60A
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM60A，ST（意法半导体）产品一站式供应商。