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还在为高压应用的开关效率而困扰吗？让STFI7LN80K5为您带来改变！这颗N沟道MOSFET是您实现高效功率管理的得力助手。它拥有800V的高耐压和5A的电流处理能力，结合MDmesh技术带来的低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它能让您轻松应对严苛的工业环境，其宽温工作特性（-55°C ~ 150°C）和坚固的TO-281封装，确保了长期运行的超高可靠性。无论是提升现有产品的性能，还是为经典设计寻找可靠的动力核心，STFI7LN80K5都能以卓越的电气特性，助您一臂之力，高效达成设计目标。

• 型号:STFI7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI7LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。