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您正在寻找一颗能扛起高压重任，同时又能保持敏捷高效开关性能的功率开关管吗？STFI11N65M2正是为此而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和7A的电流处理能力，基于先进的MDmesh II Plus技术，它能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅关注耐压和电流，更致力于优化整体开关性能。较低的栅极电荷和输入电容，让您的系统能够实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，提升整体能效。其坚固的TO-281通孔封装确保了出色的散热和机械可靠性，让您轻松应对工业级应用的严苛环境挑战，为产品的长期稳定运行保驾护航。

• 型号:STFI11N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI11N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。