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还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？STFI10LN80K5正是您期待的解决方案。这颗基于先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和仅630毫欧的低导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高能效和更低温升。

它专为应对严苛应用而优化，极低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关行为，让您在电机驱动、电源转换等高频应用中游刃有余。其坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装和宽广的工作温度范围，更能为您的产品在复杂环境下的长期可靠运行保驾护航。

• 型号:STFI10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI10LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。