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您正在寻找一颗能同时驾驭高效能与高可靠性的功率开关吗？STGB3NB60KDT4正是为您而来。这颗600V/10A的IGBT，集成了ST先进的PowerMESH技术，旨在让您的电源转换和电机驱动设计事半功倍。

它拥有低至2.8V的饱和压降，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效。同时，其快速的开关特性（开关能量合计不足90J）让您能够轻松实现更高频率的开关操作，从而允许使用更小体积的外围元件，助力产品实现紧凑、轻量的设计目标。无论是面对变频家电还是工业控制应用，它都能提供稳定、强劲的动力核心。

• 型号:STGB3NB60KDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 10A 50W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:50 W
• 开关能量:30J（导通），58J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:14 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/33ns
• 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):45 ns
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB3NB60KDT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。