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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高压与大电流，让电源设计事半功倍的核心开关？STFH24N60M2正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和18A的强大电流承载能力，能轻松成为您工业电源、电机驱动或高端照明系统中的能量调度核心。

它凭借低至190毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的设备运行更高效、发热更少。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让驱动设计更简单，系统响应更迅捷。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能与高可靠性，助您轻松构建竞争优势。

• 型号:STFH24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFH24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。