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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压平台，同时保持高效、低温运行的功率开关？STFH13N60M2正是您的理想之选。它基于意法半导体先进的MDmesh技术，旨在为您大幅提升电源系统的整体效率。

这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它让您在高频开关电源、电机驱动或逆变器设计中，从容应对高压挑战。其低至380毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的导通损耗，而仅17nC的栅极电荷（Qg）则确保了极快的开关速度和更低的开关损耗。两者结合，直接为您带来更低的系统发热和更高的能源转换效率。高达11A的连续电流能力和坚固的TO-220FP封装，更让您的设计兼具强大动力与可靠品质。

• 型号:STFH13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFH13N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。