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还在为电源转换效率不够高、散热设计太占空间而烦恼吗？让STFH10N60M2来为您解决！这颗基于意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，是专为高效功率开关应用而生的利器。

它拥有600V的漏源电压和7.5A的连续电流能力，能轻松应对工业电源、电机驱动等高压场合。其最突出的优势在于极低的导通电阻（仅600毫欧）和栅极电荷（13.5nC），这意味着它能大幅降低开关过程中的导通损耗和驱动损耗，直接让您的系统运行更高效、发热更少，从而简化散热设计，提升功率密度。

采用坚固的TO-220FP封装，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保您在各种严苛环境下都能获得稳定可靠的性能。选择STFH10N60M2，就是选择让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STFH10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FPAB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FPAB
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFH10N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。