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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与低温运行的“核心动力”？STF9NM50N正是您理想的伙伴。这颗N沟道MOSFET拥有500V的高压耐受能力和5A的电流处理能力，专为要求苛刻的电源转换和电机控制应用而生。

它采用先进的MDmesh技术，实现了极低的导通电阻（典型值560mΩ@10V），让您在开关过程中损耗更小、效率更高。高达150°C的工作结温和TO-220FP封装，确保了出色的散热性能和可靠性，让您的设计在面对持续高负载时也能游刃有余，稳定运行。

• 型号:STF9NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。