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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与紧凑封装的功率开关吗？STL10N65M2正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和4.5A的连续电流能力，其核心魅力在于10V驱动下仅1欧姆的超低导通电阻，能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让热量更少，运行更凉快。

它采用意法半导体先进的PowerFlat HV封装技术，在微小的5x6毫米占位面积内实现了出色的散热性能，让您轻松突破空间限制，设计出更轻薄、功率密度更高的产品。无论是用于电源转换、电机控制还是照明驱动，STL10N65M2都能让您的设计更高效、更可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STL10N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL10N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。