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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的中功率开关管吗？STF9N65M2正是为您准备的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh家族的650V N沟道MOSFET，拥有5A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗（Rds(on)仅900mΩ）与优异的开关特性（Qg低至10nC）。

这意味着，在您的开关电源、PFC或电机驱动应用中，它能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。高达20W的功率耗散能力和150°C的结温，配合坚固的TO-220FP封装，确保了它在各种挑战性环境下的持久耐用。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STF9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。