STGB20V60F（ST 意法半导体，晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STGB20V60F

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：IGBT 600V 40A 167W D2PAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：40A

电流-集电极脉冲(Icm)：80A

不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，20A

功率-最大值：167W

开关能量：200J（开），130J（关）

输入类型：标准

栅极电荷：116nC

25°C时Td（开/关）值：38ns/149ns

测试条件：400V，20A，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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基本参数：

电子零件型号：STGB20V60F

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：IGBT 600V 40A 167W D2PAK

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询STGB20V60F的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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